作者:朱静远 ,茅盘松 单位:东南大学 出版:《电子器件》1993年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ1993020070 DOC编号:DOCDZQJ1993020079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文叙述了使用硅集成电路工艺技术制作的电容式压力传感器.以常规LPCVD技术淀积的多品硅、经腐蚀掏空多晶硅层与硅衬底之间的中间氧化层形成空隙,随后将具有可变形的多品硅隔膜封成真空腔.该腔随外界压力改变引起多晶硅膜变形,用测量隔膜与硅衬底电极之间电容的变化来测量压力的变化。介绍了微型低压传感器的设计、制造工艺和测试结果。

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