《薄淀积膜压阻系数π∥π⊥测量》PDF+DOC
作者:许德华,祝冰
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》1995年第04期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ504.0120
DOC编号:DOCCGQJ504.0129
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《多晶硅高温压力传感器》PDF+DOC1990年第05期 刘晓为,张国威,刘振茂,郭青,高家昌,范茂军,段治安,崔光浩
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《半导体压力传感器与微机的相接》PDF+DOC1998年第04期
《微机械梁-膜结构的压力传感器》PDF+DOC1990年第02期 鲍敏杭,王言,于连忠
《多晶硅薄膜压阻器件》PDF+DOC1987年第Z1期 王善慈,卢慧斌,徐秀华,蔡浩一,邓春阳,陶文忠
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《多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器》PDF+DOC2009年第09期 王健,揣荣岩,何晓宇,刘伟,张大为
半导体薄膜开始用于力敏器件,评价薄膜自身的压阻特性是十分重要的。但迄今报导的参数,通常是薄膜与基片粘附成一体的复合样品测量值,原因在于膜薄难剥,剥离之后测量也不易。建立等效模型,提出新的计算式,以便在基片淀积膜之前和之后,只作常规ε、E等测量,通过计算就可得到纯薄膜的压阻特性各参数,包括K、K、π、π。
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