作者:许德华,祝冰 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1995年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ504.0120 DOC编号:DOCCGQJ504.0129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体薄膜自身的力敏参数的测量》PDF+DOC1995年第04期 许德华,祝冰,梁癸容 《多晶硅高温压力传感器》PDF+DOC1990年第05期 刘晓为,张国威,刘振茂,郭青,高家昌,范茂军,段治安,崔光浩 《高温压力传感器的力敏电阻条的制备》PDF+DOC2009年第04期 何建建,孙以材,潘国峰 《半导体压力传感器与微机的相接》PDF+DOC1998年第04期 《微机械梁-膜结构的压力传感器》PDF+DOC1990年第02期 鲍敏杭,王言,于连忠 《多晶硅薄膜压阻器件》PDF+DOC1987年第Z1期 王善慈,卢慧斌,徐秀华,蔡浩一,邓春阳,陶文忠 《剪切应力对压阻传感器灵敏度的影响》PDF+DOC1986年第05期 王言,鲍敏杭,晋琦 《提高半导体压力传感器测量精度的有效措施》PDF+DOC1983年第04期 高振鸾 《硅压力传感器芯片的制造方法》PDF+DOC1983年第05期 梁增寿 《多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器》PDF+DOC2009年第09期 王健,揣荣岩,何晓宇,刘伟,张大为
  • 半导体薄膜开始用于力敏器件,评价薄膜自身的压阻特性是十分重要的。但迄今报导的参数,通常是薄膜与基片粘附成一体的复合样品测量值,原因在于膜薄难剥,剥离之后测量也不易。建立等效模型,提出新的计算式,以便在基片淀积膜之前和之后,只作常规ε、E等测量,通过计算就可得到纯薄膜的压阻特性各参数,包括K、K、π、π。

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