作者: 单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 出版:《光机电信息》1995年第12期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGJDX1995120130 DOC编号:DOCGJDX1995120139 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • TC51V18160AJ—60,电源电压由3.3V±0.3V构成的存取时间,最大60ns的16Mbit DRAM,程序构成是1M 16 bit.存储单元阵列1024行×1024列,在16ms以内选择所有的行地址更新动作.动作时的最大消耗功率为648mW,改变存储单元阵列的构成为4096行×256列,把动作时的最大消耗功率控制在342mW.同1616AJ—60.不过,地址输入端与1024×1024构成相比较可增大3倍。

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