《新产品》PDF+DOC
作者:
单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出版:《光机电信息》1995年第12期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGJDX1995120130
DOC编号:DOCGJDX1995120139
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TC51V18160AJ—60,电源电压由3.3V±;0.3V构成的存取时间,最大60ns的16Mbit DRAM,程序构成是1M 16 bit.存储单元阵列1024行×;1024列,在16ms以内选择所有的行地址更新动作.动作时的最大消耗功率为648mW,改变存储单元阵列的构成为4096行×;256列,把动作时的最大消耗功率控制在342mW.同1616AJ—60.不过,地址输入端与1024×;1024构成相比较可增大3倍。
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