作者：Naoki Yutani,程开富 单位：中国兵工学会;中国兵器工业第二0五研究所 出版：《应用光学》1991年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYYGX1991010060 DOC编号：DOCYYGX1991010069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《高性能肖特基势垒IR-CCD摄像传感器(特邀)》PDF+DOC1983年第03期 Walter F. Kosoncky,屈积建 《用于低限度环境的CMOS图像传感器》PDF+DOC2000年第09期 Dan Croft,顾聚兴 《弱光位敏探测器》PDF+DOC1995年第01期 刘茂银 《红外图象传感器》PDF+DOC1992年第04期 陈启宇 《光电氢传感器》PDF+DOC1990年第03期 袁凤 《高密度肖特基势垒红外CCD传感器的遥感应用》PDF+DOC1989年第04期 王春玲 《512×512像素PtSi肖特基势垒红外图像传感器》PDF+DOC1989年第02期 陈开富,季静 《传感器》PDF+DOC2001年第02期 《AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究》PDF+DOC2008年第07期 冯春,王晓亮,王新华,肖红领,王翠梅,胡国新,冉军学,王军喜 《基于微接触印刷的ZnO紫外传感器特性研究》PDF+DOC2014年第02期 孙永娇,高翻琴,赵振廷,张文栋,胡杰

    • 已经研制成功有512&#215；512元的IrSi肖特基势垒红外图象传感器。该器件使用电荷扫借器件(CSD)结构。采用的探测器是截止波长为7.3μm的IrSi/p—Si肖特基势垒(SB)二极管。为了减少热产生的暗电流，器件致冷到62K。器件按NTSC帧速(30帧/秒)工作。本文用实例对应用这种器件的热成象系统予以说明。

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