作者：朱长纯,王海笑 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》1994年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS1994040010 DOC编号：DOCCGJS1994040019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《台阶阵列阴极真空微电子压力传感器研究》PDF+DOC1996年第03期 夏善红,崔大付,韩泾鸿,陈绍凤,王利 《二十一世纪的电子器件》PDF+DOC1995年第02期 朱长纯,李天英 《真空微电子传感器研究及进展》PDF+DOC2001年第04期 夏善红 《半导体压力传感器与微机的相接》PDF+DOC1998年第04期 《新型真空微电子压力传感器特性研究和实验制作》PDF+DOC1997年第12期 夏善红,刘加,陈绍凤,韩泾鸿,崔大付 《新型多晶硅压力传感器》PDF+DOC1997年第06期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,李永生 《真空微电子磁敏传感器的研究》PDF+DOC1994年第03期 王海笑,朱长纯 《硅压力传感器的应力隔离封装》PDF+DOC1987年第Z1期 李东研,Per.A.Ohlckers,C.D.Fung,W.H.Ko 《相似材料模型及压力传感器性能试验研究》PDF+DOC2011年第05期 郭惟嘉,李博,陈绍杰,刘长雷 《双限气压监测电路的设计》PDF+DOC2007年第23期 富侠,王双,李晓斌

    • 本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布，同时计算了&lt；100&gt；晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系，进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验，理论与实验符合的很好。

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