作者：闫卫平,马灵芝,牛德芳 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》1995年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS1995010020 DOC编号：DOCCGJS1995010029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《多晶硅薄膜材料与器件研究进展》PDF+DOC2009年第03期 王红娟,张帅 《氢气传感器的技术现状及发展趋势》PDF+DOC2016年第05期 母坤,童杏林,胡畔,邓承伟,郭倩,熊家国 《压力传感技术在微流控系统中的研究进展》PDF+DOC2019年第09期 卜倩倩,胡伟频,魏从从,王丹,邱云,孙晓 《应力集中式多晶硅薄膜压力传感器》PDF+DOC1998年第03期 陶文中,高明光,唐松林,吴紫峰,田雷,李娟 《硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性》PDF+DOC1994年第06期 刘晓为,张国威,刘振茂,理峰 《换能器电学性能与振动切削力关系及监测方法》PDF+DOC2011年第02期 李文,张文全,张德远 《Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作》PDF+DOC2009年第05期 崔虹云,张海丰,吴云飞 《纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性》PDF+DOC2008年第10期 赵晓锋,温殿忠 《烧结温度对纳米SnO_2传感器灵敏度的分析研究》PDF+DOC2008年第02期 高晓平,席彩红,刘国汉 《多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展》PDF+DOC2014年第02期 李海博,尹延昭,郑丽

    • 多晶硅薄膜的性质与膜的结构有密切关系.界面结构主要指晶粒尺寸、择优取向及其结构，多晶硅薄膜的结构主要由沉积条件、膜厚、掺杂条件和后来的退火温度和退火时间所决定.本文讨论了用常规低压化学汽相淀积(LPCVD)方法制备的多晶硅薄膜的结构特性，初步获得了提高多晶硅压力传感器灵敏度及其温度稳定性的条件。

    📙 相关资料

    1. 《多晶硅薄膜材料与器件研究进展》PDF+DOC 多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料，综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展。...
    2. 《氢气传感器的技术现状及发展趋势》PDF+DOC 作为重要的化工原料和清洁能源，氢气被广泛应用在各个领域。由于氢气易燃易爆及易泄露的特性，氢气浓度的检测已成为其生产、使用过程中非常重要的一个环节。本文简单介绍了现有电化学型、电学型及光学型氢气传感器的原理、特点、适用范围以及技术现状。以此为基础，对氢气传感器的发展趋势进行了简要分析，特别是对光纤氢气......
    3. 《压力传感技术在微流控系统中的研究进展》PDF+DOC 回顾了压力传感在微流控系统中的应用研究进展。在对微流控系统中使用传感技术必要性分析的基础上，详细阐述了微流控系统中的两大压力传感技术，电学式压力传感与光学式压力传感的研究现状，剖析总结了微流控系统中的压力传感技术存在的问题，并对未来的发展趋势进行了展望。...
    4. 《应力集中式多晶硅薄膜压力传感器》PDF+DOC 介绍一种以多晶硅薄膜为敏感材料的压力传感器。该传感器利用了双岛结构膜片的应力集中效应，灵敏度得到提高，且具有良好的线性度和过载能力。...
    5. 《硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性》PDF+DOC 本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果相符合．通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论，提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系......
    6. 《换能器电学性能与振动切削力关系及监测方法》PDF+DOC 振动切削加工过程中监测切削力对于超声振动切削技术的推广和加工生产具有重要意义。本文在换能器驱动技术分析的基础上，通过研究超声椭圆振动切削过程中切削力、换能器电学阻抗与负载的变化关系，提出了一种利用换能器电学特性来判断超声椭圆振动切削力的新监测方法，并设计了一套换能器电学参数测量系统。通过大量的切削实......
    7. 《Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作》PDF+DOC 利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜，并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品，在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明，退火使欧姆接触的电阻率降低，接触电阻率可达到2.41&#215；10-3Ω.cm......
    8. 《纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性》PDF+DOC 给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器，采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜，基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构，实现对外加压力的检测.实验结果表明，当硅膜厚度75μm时，纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供......
    9. 《烧结温度对纳米SnO_2传感器灵敏度的分析研究》PDF+DOC 通过研究烧结温度对纳米SnO2传感器灵敏度的影响，并与传统的SnO2传感器进行对比分析，得出最佳的烧结温度是660℃，且纳米SnO2传感器的气敏响应远远好于传统SnO2传感器，适合做高灵敏度的气体传感器。...
    10. 《多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展》PDF+DOC 多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低，效率稳定性好、光电转换效率高，多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造，其用途从栅极材料和互联引线发展到绝缘隔离、钝化、太阳能电池、各种光电器件等。文章介绍了制备多晶硅薄膜的多种工艺方法，结......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。