作者：Eric R.Fossum,高国龙 单位：中国科学院上海技术物理研究所 出版：《红外》1995年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWAI1995070140 DOC编号：DOCHWAI1995070149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 5.3.锗 锗技术比硅早出现。稳定的天然氧化物(象硅所能提供的那种氧化物，如，SiO_2)的缺乏，已将分立的锗器件转移到一些小的市场上。德克萨斯仪器公司10多年前制造的现在已不再生产的锗结场效应晶体管(JFET)对于50K～80K温度范

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