《集成电路微电子电位的精密光测方法》PDF+DOC
作者:周洪武
单位:安徽省科学技术情报研究所
出版:《安徽科技》1995年第11期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFAHKJ1995110220
DOC编号:DOCAHKJ1995110229
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半导体在电场中具有吸收光谱的性能,其吸收光谱带的边界朝着光子能级较低的方向移动(弗朗兹—凯尔蒂西效应)。利用这个原理,借助于激光探测器等,就可精确测量出集成电路微电子元件中各信号的电位。虽然单色光的光子能级E_(Ph)小于或约等于半导体禁带宽度E_B,仅在初始电场强度高达10kV/cm时单色光的衰减才比较
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