作者：吴孙桃,沈 华,徐富春,蔡玉霜 单位：厦门大学 出版：《厦门大学学报(自然科学版)》1994年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXDZK405.0080 DOC编号：DOCXDZK405.0089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ＿２透明多晶薄膜的表面．定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ＿２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关．根据实验结果和分析，研究薄膜Ｈ＿２吸附机理，讨论ＳｎＯ＿２薄膜的气敏与ＳｎＯ＿２／ｎ－Ｓｉ异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响．

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