作者：唐国洪,陈德英 单位：东南大学 出版：《电子器件》1995年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ502.0080 DOC编号：DOCDZQJ502.0089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文介绍了ＩＳＦＥＴ（离子敏场效应管）的结构原理、设计考虑、制造工艺和封装技术，提出了背接触封装结构，提高了ＩＳＦＥＴ型ＰＨ传感器的可靠性和使用寿命。

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