作者：黄宜平,李爱珍,汤庭熬,鲍敏杭 单位：航天科技集团公司九院七七一所 出版：《微电子学与计算机》1995年第02期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXYJ502.0050 DOC编号：DOCWXYJ502.0059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ－／ｎ＋／ｎ－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。

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