《用硅的自停止腐蚀方法制作硅膜》PDF+DOC
作者:黄庆安,秦明,张会珍,童勤义
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》1994年第02期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ1994020140
DOC编号:DOCCGQJ1994020149
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利用各向异性腐蚀和键合工艺,提出了一种新的自停止腐蚀方法,该方法可以得到大于1μm厚的均匀硅膜,可用于微传感器研制。
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