作者：安德烈 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》1995年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI503.0130 DOC编号：DOCMINI503.0139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）计划中光刻工艺研究的主要对象是光学步进式光刻机，包括ｉ－线（３６５ｎｍ）和激发物激光深紫外线（２４８ｎｍ）光刻机。对于多数图形层，采用普通的光刻胶加温法显形；而对于关键的栅和金属层，则采用扩散。增强甲硅烷基化光刻胶（ＤＥＳＩＲＥ）工艺的表面成像干法显形光刻胶。在光刻工艺过程中，如果对所有关键工序，特别是曝光，都用实时传感器进行监控，即可达到对工艺控制实现完全自动化这一目标。

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