作者：郑学仁,刘百勇,李斌,王曦,郑耀宗 单位：华南理工大学 出版：《华南理工大学学报(自然科学版)》1995年第12期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHNLG1995120010 DOC编号：DOCHNLG1995120019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文报道了一种用聚酰亚胺（ＰＩ）膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）压电膜－ＭＯＳ晶体管（ＰＥＧＰＯＳＦＥＴ）传感器单元结构。和一般ＰＯＳＦＥＴ结构相比，这种新结构大大减少了扩展栅电容（ＣＥＧ），明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的制造过程，特别是ＰＩ膜制备条件对ＣＥＧ和器件性能的影响。当用５．２μｍ和８．７μｍ的ＰＩ膜作为扩展栅电极的绝缘层时，分别得到１１．３ｄＢ和１３．６ｄＢ的增益改善。这个结果和等效电路分析结果一致。这种新结构为采用成熟的ＩＣ工艺技术制作用于医学超声成象等领域的ＰＶＤＦ超声探测阵列传感器提供了一个崭新的途径。

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