作者：牟军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1994年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ402.0050 DOC编号：DOCBDTJ402.0059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 压阻式压力敏感元件封接处开裂问题，出现在扩散硅芯片与玻璃封接处。这种开裂受机械、热应力及封接操作方法等因素影响。本文提出了开裂机理，认为开裂与芯片的边缘条件及封接过程有关。对容易在温度变化或机械震动下发生开裂的传感器，我们给出了一种非破坏性连续筛选试验、“合格／不合格”的判别依据和具体分析结果。最后概述了提高扩散硅压力传感器封接成品率及可靠性的几点建议。

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