作者：丁辛芳,牛蒙年 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1995年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ504.0000 DOC编号：DOCCGQJ504.0009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。

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