作者：王善慈 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1994年第05期 页数：10页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1994050160 DOC编号：DOCCGQJ1994050169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 6 多晶硅压力传感器 近些年来，随着多晶硅薄膜地深入研究，以在绝缘层上生长多晶硅薄膜(SOI)制作应变电阻器为敏感元件的压力传感器，其优越性已被广大研究者和生产部门所认可。 ①具有较大的压阻效应，最大值可达单晶硅的70％；并呈良好的线性。

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