作者:盛晓清,郑学仁,刘百勇,李斌 单位:华南理工大学 出版:《华南理工大学学报(自然科学版)》1994年第05期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHNLG405.0060 DOC编号:DOCHNLG405.0069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文提出了一种利用绝缘钝化PI膜垫高扩展栅电极的改进型PVDF—MOSFET超声传感器的结构,从而达到减小寄生电容和提高灵敏度的目的.实验测量表明,该传感器工作在λ/4的振动模式下,具有良好的电压传输特性和频响特性,灵敏度比普通POSFET传感器提高了3.8dB。

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