作者：牛蒙年,丁辛芳,袁璟,童勤义 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1995年第01期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ501.0070 DOC编号：DOCCGQJ501.0079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 报道了采用集成技术制备的差分对结构ｐＨ－ＩＳＦＴＥＴ传感器及其特性，实验结果表明，ＩＳＦＥＴ器件性能良好，经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性，且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。

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