作者：曲兰欣 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》1995年第01期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ501.0050 DOC编号：DOCGTDZ501.0059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 高灵敏Ｉｎ_（０．５３）Ｃａ_（０．４７）Ａｓ／ＩｎＰ霍尔传感器虽然霍尔效应早已众所周知，而且最早在固态传感器方面得到开发利用，但是霍尔效应器件迄今仍然极受重视。半导体工艺技术和应用潜力极大的磁场传感器的发展则更激起了人们的研究热情。近来，Ⅲ－Ｖ族半导..。

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