《背面敏感SRSF传感器的研究》PDF+DOC
作者:郑继雄,刘百勇,郑学仁,李斌,关培勋
单位:华南理工大学
出版:《华南理工大学学报(自然科学版)》1995年第12期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHNLG1995120040
DOC编号:DOCHNLG1995120049
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针对"传感器中毒"现象,在正面敏感的扩展电阻硅流量(SRSF)传感器的基础上,提出背面敏感的SRSF传感器,并设计出相应的表面贴装元件(SMC)封装形式。理论推导和测试结果表明:背面敏感的SRSF传感器的输出电压与流体流速、流向的关系可表述为:;芯片厚度对灵敏度影响很大,其最佳值为150μm。在最佳厚度下,背面敏感方式虽然牺牲了SRSF传感器的10%的灵敏度,但却能有效防止传感器中毒,SMC封装形式使背面敏感SRSF传感器的正、反流向对称性大大改善。
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