作者：郑学仁,刘百勇,李斌,杨炳良,陈斗南 单位：华南理工大学 出版：《华南理工大学学报(自然科学版)》1995年第12期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHNLG1995120030 DOC编号：DOCHNLG1995120039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 阐述了一种结构特别的硅扩展电阻式元件的温度敏感原理，提出了物理模型，探讨了其工作温区拓宽机理。对器件的结构尺寸、材料、工艺参数对阻温特性的影响进行了计算机模拟分析及实验研究。理论分析和实验结果表明：传感器在０～３００℃范围内具有正温度系数（ＰＴＣ）特性，其胆温系数为０．７３％／℃要拓宽硅扩展电阻（ＳＲＴ）传感器ＰＴＣ特性区的工作温度范围，必须尽可能减少扩散接触区的体积和晶体的体积，尽可能提高硅晶体掺杂浓度和晶体中载流子寿命，并适当提高正向工作电流。

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