作者：刘百勇,郑学仁,杨炳良,黄仑,李斌,陈斗南 单位：华南理工大学 出版：《华南理工大学学报(自然科学版)》1995年第12期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHNLG1995120000 DOC编号：DOCHNLG1995120009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出一种结构新颖的硅扩展电阻温度传感器，这种传感器与硅平面加工技术兼容，易于集成化。当传感器在２ｍＡ的正向偏置电流下，由于少数载流子的不连续性以及多数载流子的注入，传感器电阻的正温度系数（ＰＴＣ）区拓宽到５７３Ｋ（＋３００℃）以上。本文探讨了传感器的图形设计理论和电阻－温度关系，与实验结果吻合。这种ＳＲＴ传感器在温度和流速检测中将得到广泛应用。

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