作者:张天舒,曾宇平,沈瑜生 单位:国家仪表功能材料工程技术研究中心;重庆仪表材料研究所;中国仪器仪表学会仪表材料学会 出版:《功能材料》1996年第04期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGNCL604.0140 DOC编号:DOCGNCL604.0149 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 在Ar气氛中于SnO2薄膜表面溅射一层很薄的金属钯。用SEM、AES及XPS等分析表明,Pd在SnO2表面以三维束状小岛方式生长,热处理后Pd迅速扩散到SnO2膜内,形成掺杂型的气敏元件。在元件的表面存在大量的化学吸附氧,低温下(~160℃)对极为稳定的CH4有很高的灵敏度,认为可能与低温下吸附氧主要为α氧(O-2)有关。

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