《ZnSe基半导体材料的低压MOCVD生长》PDF+DOC

本实验室用的低压ＭＯＣＶＤ设备是由原来的常压ＭＯＣＶＤ设备改造的。其中设备中用的主要部件，如质量流量计、压力控制器、压力传感器和机械泵等都是国外进口。组合阀门和冷阱温度控制仪等为国产。生长室真空压力可从常压到１３３Ｐａ之间任意快速调节。实验中生长ＺｎＴｅＳｅＺｎＳｅ和ＺｎＴｅＣｄＺｎＴｅ多量子阱（ＭＱＷｓ）均选用ＧａＡｓ作为生长衬底。以进口二甲基锌（ＤＭＺｎ），二甲基镉（ＤＭＣｄ）为Ⅱ族源和Ｈ２Ｓｅ为Ⅵ族源，由６Ｎ纯氢为载气。ＺｎＴｅＳｅ单晶薄膜生长时，生长室压力为５０５４Ｐａ。在衬底温度４２０℃不变情况下，取Ｈ２Ｓｅ＝１０ｍｌ／ｍｉｎ。条件下生长了一组组分ｘ随［ＤＥＴｅ］／［ＤＥＴｅ］＋［Ｈ２Ｓｅ］的变化曲线和在Ｈ２Ｓｅ＝５ｍｌ／ｍｉｎ时得到的组分变化曲线。由两条曲线可明显看出，Ｈ２Ｓｅ流量较大（１０ｍｌ／ｍｉｎ）时，得到的组分ｘ随［ＤＥＴｅ］／［ＤＥＴｅ］＋［Ｈ２Ｓｅ］增加上升较快，且呈一较好的线性关系。相反，在Ｈ２Ｓｅ流量较小（５ｍｌ／ｍｉｎ）时，组分ｘ增加较缓慢。实验中可根据要求的ｘ值大小来改变Ｈ２Ｓｅ流量。由如上生长条件，选择了ＺｎＴｅｘＳｅ.....。

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