作者：李玲 单位：中国科学院上海技术物理研究所 出版：《红外》1997年第01期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWAI1997010180 DOC编号：DOCHWAI1997010189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、日本的探测器和应用Ⅰ1.HgCdTe光导探测器的性能改进(M.Sano，日本NEC公司)2.利用Si衬底上MBE生长的HgCdTe的256&#215；256元长波红外焦平面列阵(A.Aji-sawa，日本NEC公司)3.长波红外光电二极管用的在Si衬底上用MOVPE直接生长HgCdTe(K.Maruyama，日本富士通实验室有限公司)4.410K元象数PtSi肖特基势垒红外CCD成象敏感器(M.Shoda，日本Nikon公司)5.采用改进型CSD工作方式的PtSi焦平面列阵(T.Shirajshi，日本三菱电气公司)

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