《Sn掺杂对MOCVD—Fe_2O_3薄膜型气敏元件的影响》PDF+DOC
作者:赵世勇,张为灿,魏培海,刘俊福,淳于宝珠
单位:中国仪器仪表学会
出版:《化学传感器》1996年第04期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHXCH1996040070
DOC编号:DOCHXCH1996040079
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本文以四甲基锡为掺杂源,用MOCVD技术在小瓷管上沉积了Sn掺杂的Fe_2O_3薄膜。Sn的掺杂保持了Fe_2O_3薄膜原有的气敏规律和快速响应特性,却使元件的电阻碍以降低。同时抑制了薄膜中颗粒的生长,提高了元件的长期稳定性。
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