作者:赵世勇,张为灿,魏培海,刘俊福,淳于宝珠 单位:中国仪器仪表学会 出版:《化学传感器》1996年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHXCH1996040070 DOC编号:DOCHXCH1996040079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《掺杂对MOCVD—SnO_2薄膜气敏性能的影响》PDF+DOC1996年第01期 赵世勇,刘俊福,张为灿,淳于宝珠 《掺杂对SnO_2气敏元件的影响》PDF+DOC1992年第01期 翟应田 《利用磁控溅射仪制作平面薄膜型H_2S硅微传感器》PDF+DOC2003年第04期 林伟,黄世震,赖云锋 《气敏传感器的近期进展》PDF+DOC1999年第02期 李平,余萍,肖定全 《TiO_2薄膜型气体传感器研究进展》PDF+DOC1996年第05期 姜涛,吴一平,陈建国,胡一帆,孙培祯 《表面声波气体传感器》PDF+DOC1988年第02期 夏建弘 《一种新型的SnO_2半导体气体传感器》PDF+DOC1985年第03期 傅敏恭,钟仕科 《氧化锌/多孔硅复合薄膜气敏传感器对有机气体的监测研究》PDF+DOC2008年第23期 包新荣,连兵,孙小菁 《乙烯气敏元件的研制》PDF+DOC2008年第03期 张海峰,刘奎学,陈丽华,全宝富 《掺杂ZnO气敏特性的研究进展》PDF+DOC2007年第02期 穆建国,马勇,张召涛,刘润华
  • 本文以四甲基锡为掺杂源,用MOCVD技术在小瓷管上沉积了Sn掺杂的Fe_2O_3薄膜。Sn的掺杂保持了Fe_2O_3薄膜原有的气敏规律和快速响应特性,却使元件的电阻碍以降低。同时抑制了薄膜中颗粒的生长,提高了元件的长期稳定性。

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