作者：温殿忠,邱成军,庄玉光 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》1996年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS1996020020 DOC编号：DOCCGJS1996020029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P~+πN~+器件的压磁电效应，给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明，当四个P~+πN~+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥，制造在C型硅杯的硅膜片上，不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度，而且可以用来测量磁场的旋转角度.据此，提出了一种新的具有良好工作稳定性及较高灵敏度的压/磁敏感器件。

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