《电解液-Si_3N_4绝缘体界面表面基/复合中心模型的研究》PDF+DOC
作者:牛蒙年,丁辛芳,童勤义
单位:中国电子学会
出版:《电子学报》1996年第11期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZXU611.0080
DOC编号:DOCDZXU611.0089
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本文在表面基模型基础上,借用半导体物理中复合/产生概念,提出表面基/复合中心模型,并研究了含两种类型表面基的Si3N4绝缘体及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比率对Si3N4栅pH-ISFET敏感性能和稳定性的影响,其结果与实验结果相符。对改善pH-ISFET传感器的敏感特性具有实际指导意义。
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