《无掩模腐蚀工艺对硅电容力敏结构的改进》PDF+DOC
作者:李昕欣,鲍敏杭
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》1996年第01期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS1996010000
DOC编号:DOCCGJS1996010009
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提出并利用一种新颖的无掩模腐蚀技术,针对以往硅体微机械加工的电容力敏器件特性的缺陷,从结构入手加以改进.分别制作了加速度对称梁-质量块结构和单边推挽压力结构,并取得了预期的结果.文中给出了理论分析和实验验证。
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