作者:牛蒙年,丁辛芳,童勤义 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》1996年第07期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX607.0070 DOC编号:DOCBDTX607.0079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《电解液-Si_3N_4绝缘体界面表面基/复合中心模型的研究》PDF+DOC1996年第11期 牛蒙年,丁辛芳,童勤义 《ISFET库仑滴定系统与集成库仑滴定传感器的研究》PDF+DOC1994年第02期 虞惇,陈伟平,王东红,姚建庭,王贵华 《差分对结构pH-ISFET传感器的研制》PDF+DOC1995年第01期 牛蒙年,丁辛芳,袁璟,童勤义 《集成pH-ISFET/压力传感器的研究》PDF+DOC1994年第03期 丁辛芳,俞海明 《PVC敏感膜组分比对K~+─ISFET响应特性的影响》PDF+DOC1994年第02期 牛文成 《溴化银单晶半导体传感器的研制》PDF+DOC1992年第02期 黄强,陈养民,姜志超 《胆碱半导体传感器的研制》PDF+DOC1987年第03期 黄德培,傅庭治,朱春生,南轸,陆宗寰,宋贯交 《基于ISFET的阿托品传感器的研究》PDF+DOC 李先文,杨伯伦 《H~+-ISFET传感器及其工作特性研究》PDF+DOC2004年第05期 张玉海 《采用H~+-ISFET的便携式上消化道pH值记录仪的研制》PDF+DOC2003年第01期 李向明,韩泾鸿,张虹,李亚亭,梁卫国
  • 在表面基模型理论基础上,本文研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体材料及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响.在硅醇基/胺基=7/3附近时,得到电解液一绝缘体(E-I)界面势对pH值的灵敏度最大,且线性响应范围宽;两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响pH-ISFET器件的敏感响应和稳定特性.理论结果与实验观测结果相符,为进一步探索提高pH-ISFET传感器敏感特性的方法提供理论依据.

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