作者：付文婷,梁峭,崔可夫,石天立,张娜,郑东明,唐慧,孙海玮 单位：中国工程物理研究院;中国核学会;四川省核学会 出版：《强激光与粒子束》2016年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFQJGY2016060100 DOC编号：DOCQJGY2016060109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《微机械加工技术在传感器制作中的应用》PDF+DOC1998年第02期 张巧云,吕志清 《用硅的自停止腐蚀方法制作硅膜》PDF+DOC1994年第02期 黄庆安,秦明,张会珍,童勤义 《新型磁驱动增大检测电容的高精度MEMS惯性传感器研究》PDF+DOC2010年第05期 董林玺,焦继伟,颜海霞,孙玲玲 《基于四电极传感器的CFRP缺陷检测方法》PDF+DOC 黄吕霖,田吉磊,刘一斐,蒋中鑫 《雷达与导航、声纳与对抗》PDF+DOC1999年第03期 《微压传感器膜片的设计与研制中的关键技术》PDF+DOC1988年第04期 沈桂芬,杨学昌,张久惠 《各向异性磁阻传感器在车辆探测中的应用》PDF+DOC2006年第06期 李希胜,于广华 《日立开发出CMOS兼容的MEMS传感器工艺》PDF+DOC2009年第11期 Kenji Tsuda 《硅基热电堆真空传感器的制造技术》PDF+DOC2008年第02期 马斌,梁平治,陈世军,程正喜 《新颖CMOS图像传感器刻蚀工艺进展》PDF+DOC2013年第06期 Tao Zhong,Ying Huang,Chih-Hsun Hsu,Scott Williams,Benjamin Schwarz

    • 利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数，将它们的范围分别设定为40~60℃，0.4~0.48mol/L和5~12.5h，并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型，分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明：模型可以精确预测99%的响应值，相比于腐蚀时间，溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。

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