作者:宗春迎,刘国维 单位:杭州电子科技大学 出版:《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》1996年第02期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHXDY1996020040 DOC编号:DOCHXDY1996020049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文研究用于金属氧化物半导体烟雾传感器的SnO2敏感材料与厚膜的制备。首先用湿法制成n-SnO2,然后制备合适的厚膜浆料,做成对烟雾敏感的烟雾敏感厚膜。几年来的测试数据结果表明:厚膜和最佳烧结温度为650℃~670℃。它已具有一定的烟雾敏感特性。当加入适当的催化剂,并使烟雾传感器工作在最佳温度下,烟雾灵敏度可达500~1000%,与国内外广泛使用的放射性镅制成的烟雾传感器有相同的烟雾灵敏度。

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