作者：汤庭鳌 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1996年第06期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ606.0000 DOC编号：DOCBDTJ606.0009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 铁电薄膜材料具有自发极化，且其方向随外电场反转．它还具有压电效应、热释电效应等，因此在不挥发存贮器、压力传感器、红外传感器等方面有广泛的应用。铁电薄膜制备工艺与标准ＣＭＯＳ工艺、双极型集成电路工艺以及ＧａＡｓ集成电路工艺相容，使集成铁电技术取得长足的发展。一门崭新的集半导体、电介质等学科于一体的集成铁电学正在崛起。

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