作者:马英仁,孟娟,徐晓峰,张振辉 单位:哈尔滨理工大学 出版:《哈尔滨理工大学学报》1997年第03期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHLGX703.0260 DOC编号:DOCHLGX703.0269 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 根据缺陷化学理论和半导体表面化学吸附理论,对体电导和表面电导分别提出了两个简化模型──单电离氧空位模型和一维积累层模型,解释了Ga2O3薄膜在两个不同温区的不同的气体敏感特性。理论与实验结果的一致,表明了这两个简化模型的正确性和有效性。

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