《以10倍的高速度合成强电介质薄膜》PDF+DOC

以１０倍的高速度合成强电介质薄膜工业技术院大阪工业技术研究所成功地合成了钛酸铅强电介质薄膜，速度比原来提高约１０倍。有待于应用在红外线传感器，ＤＲＡＭ用的高介电系数材料，不挥发性存储器等。高电介质薄膜部分实用在红外线传感器等方面，但是用原来的薄膜法成..。

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