作者：季安,郎海宁,孙慧卿 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》1996年第01期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS1996010040 DOC编号：DOCYBJS1996010049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文叙述了在通用扩散炉上实现大面积超厚硅片电气参数一致性的有效方法，在使用本工艺之前，芯片径向电阻的非均匀性在20％左右。使用本工艺后，非均匀性减小到10％以内，一般可以控制在6％左右。有效地解决了普通设备加工特殊硅片的技术问题。

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