作者：余晋岳,叶伟春,魏福林 单位：中国电子科技集团公司第52研究所 出版：《》 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJB605.0240 DOC编号：DOCDZJB605.0249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程》PDF+DOC1996年第07期 余晋岳,宋柏泉,周勇,蔡炳初 《微型NiFe磁阻(MR)薄膜传感元件在反磁化过程中的钩形畴活动》PDF+DOC1999年第01期 余晋岳,蔡炳初,张明生,章吉良,赵小林,周狄,魏福林 《磁阻（MR）薄膜传感器微磁结构的观察和研究》PDF+DOC1996年第S1期 余晋岳,刘国亭,张宏,周勇 《新型传感器——Z-元件》PDF+DOC1996年第09期 毛兴武 ,刘雪琴 《定压低温式甲烷检测方法的研究》PDF+DOC1996年第04期 童敏明 《选择完善的压力传感器》PDF+DOC1989年第04期 Steven A loth,郭建平 《金属薄膜磁电阻传感器的制备及特性》PDF+DOC1985年第02期 刘殿臣,黄青青 《海洋测量技术及其应用(续)》PDF+DOC1980年第02期 John E.Jaeger,赵维三 《单片机在煤矿安全仪表中的应用》PDF+DOC2004年第01期 翟波 《自动化仪表的常见故障诊断与维护措施分析》PDF+DOC2014年第04期 李海彬,马伟

    • 本文从磁阻（ＭＲ）磁头的实际结构出发观察并分析了传感器高度为３—６μｍ（形状比大于５０／１）的磁头，在反磁化过程中碰畴结构的变化过程，特别注意了传感器和引线联结处钩形畴的不可逆活动过程，并直接观察了磁畴的活动对输出信号的影响。

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