《杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅱ──硅钨酸 FET 的制备和应用》PDF+DOC
作者:李先文,黄强
单位:广东工业大学
出版:《广东工业大学学报》1997年第S1期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDGX7S1.0400
DOC编号:DOCGDGX7S1.0409
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ》PDF+DOC1998年第02期 李先文,黄战龙,黄强
《杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅰ──磷钨酸 FET 的制备和应用》PDF+DOC1997年第S1期 李先文,黄强
《DrugFET的研究(Ⅳ).硅钨酸-麻黄碱FET的研制与应用》PDF+DOC1998年第03期 李先文,黄强
《DrugFET的研究(Ⅵ)——硅钨酸-普鲁卡因FET的研制与应用》PDF+DOC1998年第02期 李先文,黄西潮,黄强
《小檗碱敏感场效应晶体管的研制与应用》PDF+DOC 李先文,黄强
《DrugFET 的研究(X):β—CD 修饰离子敏感场效应晶体管的研究与应用》PDF+DOC1998年第01期 李先文,黄西潮,黄强
《利多卡因FETS的研制与应用》PDF+DOC1998年第03期 李先文,黄强,呼世斌
《基于壳聚糖膜的ISFET麻黄碱传感器的研究》PDF+DOC2003年第03期 李先文,杨伯伦
《一次通用型局麻药FET传感器的研制与应用》PDF+DOC2002年第02期 王大伟,李先文,刘亚强
《场效应管药物传感器》PDF+DOC2006年第06期 黄西朝,王君龙,焦更生
用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体,并且其分析盐酸黄莲素.传感器对黄莲素的能斯特响应范围是1.0×;10-3-5.0×;10-7mol/L斜率为59mV/PC,适宜pH范围为2.0~11.5,检测下限为7.0×;10-7mol/L。用其分析盐酸黄莲素片含量分析结果和药典方法相一致。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。