作者：郑学仁,李斌,刘百勇 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1997年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ704.0100 DOC编号：DOCBDTJ704.0109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用聚酰亚胺（ＰＩ）垫高ＰＶＤＦ－ＭＯＳＦＥＴ超声传感器的扩展栅电极，当ＰＩ厚度大于５μｍ时，扩展栅电容减少到原来的１／６以下，传感器的灵敏度可提高１１．３ｄＢ。讨论了ＰＩ工艺膜的制备和亚胺化温度对ＰＩ膜厚和介电系数的影响。

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