作者:刘新福,李琼,陈春辉,金薇 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1996年第11期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS1996110050 DOC编号:DOCYBJS1996110059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 作者将现有DD—250淀积设备改装后用于RIE刻蚀,能够刻蚀出良好的FEA尖端阵列,并摸索出了一套RIE刻蚀磁敏传感器件的FEA尖端的工艺条件和工艺参数。本文对各种工艺条件和工艺参数作具体描述。

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