《SMI硅微结构超低压力传感器》PDF+DOC
作者:孙定浩
单位:北京信息科技大学
出版:《传感器世界》1997年第07期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGSJ1997070060
DOC编号:DOCCGSJ1997070069
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压力传感器技术虽然建立和发展得较早,但由于价格昂贵、输入一输出特性非线性严重以及难以敏感微小的压力,因而仍难以适应当前飞速发展的广泛需要.美国Silicon Microstructures INC.(SMI-EXAR公司的一个全资子公司)开发了一系列低价位、线性度在0.1%到0.05%范围内的硅微结构压阻式低压传感器,满量程为0.3、0.5、0.8、1.5、3(psi);最低满量程为0.15(psi)(0.01kg/cm~2,10mbar或1kPa),被列为超低压力测量范围.本文简述了硅微结构和SMI的技术优势,着重叙述SMI产品SM5500系列中低压力传感器SM5551、SM5552的性能指标和应用技术。
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