作者：Roger Allan ,晓萍 单位：美国国际数据集团 出版：《电子产品世界》1997年第02期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZCS1997020370 DOC编号：DOCDZCS1997020379 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 新泽西州Leonia的Kulite Semi-conductor Products公司的研究人员研制成功一种基于膜片的压阻碳化硅(SiC)压力传感器，其工作温度可能超过600℃。这么高的温度范围远超过目前的常规硅传感器。KuliteSemiconductor Products公司首批生产的传感器工作于室温至350℃，但开发小组确信，它们可能工作于600℃。这一温度高于硅pn结隔离的压敏电阻的温度上限(175℃)和绝缘层上硅(SOI)传感器的温度上限(500℃)。

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