《低温温度传感器的辐照效应》PDF+DOC
作者:张平
单位:中国电子科技集团公司第十六研究所
出版:《低温与超导》1997年第02期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDWYC1997020100
DOC编号:DOCDWYC1997020109
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详细介绍了近年来低温温度传感器的γ和中子+γ辐照效应的研究结果。γ辐照试验的剂量为104Gy,中子+γ辐照试验的最大通量和剂量为8.6×;1013n/cm2和993Gy。总的看来,Si二极管不适用于两种辐照环境下的使用,在γ辐照中,Ge电阻的低温性能最好,RhFe电阻在1.4K~300K内性能良好。在中子+γ辐照试验中渗c玻璃电阻低温性能最好,Pt电阻在较高温域性能最好。
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