《硅谐振式传感器研制中的关键技术》PDF+DOC
作者:丁天怀,李源,冯冠平
单位:中国仪器仪表学会
出版:《仪器仪表学报》1996年第S1期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYQXB6S1.0110
DOC编号:DOCYQXB6S1.0119
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大量研究表明,对于压力、加速度等物理量传感器,如果用压阻、压电或电容原理,则由于信号弱、后续电路复杂,使传感器易受电噪声、温度、磁场、辐射的干扰,精度极限一般在0.1%左右,很难再进一步提高。而硅谐振式传感器的精度主要受结构的机械特性的影响,即电漂移和噪声的影响是微乎其微的;加之由于通常采用频率测量,传感器与计算机的接口非常简单,避免了A/D转换带来的附加误差,从而使得硅谐振式传感器的精度比压阻、压电或电容式至少高10倍;而且性能更稳定,更便于集成化与微型化。所以成了当今国内外研究的热点,也是今后物理量传感器发展的一个重要方向。本文介绍了硅谐振式传感器研制中的若干关键技术,如常用激振拾振方法和先进的制作工艺。
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