作者：徐甲强,闫冬良,王国庆,田志壮,江青萍 单位：中国硅酸盐学会 出版：《硅酸盐学报》1999年第05期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXYB1999050130 DOC编号：DOCGXYB1999050139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用正交试验法和单水平试验法研究了热处理温度及掺杂元素对ＷＯ３ 基Ｈ２Ｓ气敏元件灵敏度、选择性、稳定性、响应恢复特性及元件阻值的影响，得到了较为理想的Ｈ２Ｓ气敏元件． 根据提出的气敏机理模型较好地解释了热处理温度、掺杂氧化物酸碱性及催化活性等对Ｈ２Ｓ气体灵敏度的影响．

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