作者： 单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 出版：《中国光学》1999年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZGGA1999030580 DOC编号：DOCZGGA1999030589 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • O484.1 99031779射频溅射-热处理法研制SnO_2薄膜=Study of theSnO_2 thin-film prepared by RF-sputteringand heat-treatment[刊，中]/蒙冕武，邓希敏，刘明登(广西师范大学新技术新材料研究所.广西，桂林(541004))//传感器世界.—1998，4(11).-10-15首先采用350 W&#215；0.10 Pa&#215；20 min的射频溅射工艺制备β-Sn膜，然后采用在530～650℃温度条件下

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