作者：姚素英,毛赣如,曲宏伟,张维新,张荣 单位：四川固体电路研究所 出版：《微电子学》1997年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFMINI705.0080 DOC编号：DOCMINI705.0089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 分析研究了多晶硅电阻对半导体高温压力传感器温度特性的影响，找到了改善传感器温度性能的最佳途径。研制出工作温度为２５０&#176；Ｃ、压力量程为０～１ＭＰａ、灵敏度大于４０ｍＶ／ｍＡＭＰａ的传感器。

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