作者:俞小华,董健年,王浩,陈远晟,杨希 单位:国防科技大学 出版:《国防科技大学学报》2016年第03期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGFKJ2016030210 DOC编号:DOCGFKJ2016030219 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 为了对高压脉冲放电时电抗器结构受力及电流密度分布规律进行分析,使用电阻应变片对电抗器铜带进行应力测量。利用厚壁筒受压模型对应力测量系统的结果进行计算,设计内置气囊增压法来等效铜带上的应力对测量系统进行标定,并对标定实验数据进行验证。使用半桥补偿电路、屏蔽线及电桥盒共地的方法来减小脉冲电磁干扰及测量回路中寄生电阻和电容带来的电气干扰。实验结果表明:同一测量点处的环向应变峰值比轴向应变峰值大,边缘处的应变大于中心处的,需要在电抗器铜带边缘处加强外包约束。根据应力测量结果推断:铜带边缘处电流密度约为中心处电流密度的1.2倍。

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