作者：李先文,黄强 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1998年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ805.0110 DOC编号：DOCBDTJ805.0119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用磷钨酸涂覆离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）制成药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该器件具有全固态化、易微型化、集成化和多功能化等特点。用其对药物制剂的含量进行测定，所得结果和药典分析结果一致。

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